STMicroelectronics dan San'an Optoelectronics Mempromosikan Pengembangan Ekosistem Silicon Carbide China

STMicroelectronics, perusahaan semikonduktor terkemuka global yang melayani berbagai aplikasi elektronik, dan San'an Optoelektronik, perusahaan semikonduktor senyawa China terkemuka (meliputi LED, silikon karbida, komunikasi optik, RF, filter, galium nitrida, dan produk lainnya) mengumumkan bahwa kedua belah pihak telah menandatangani perjanjian untuk mendirikan pabrik patungan perangkat silikon karbida 8 inci baru di Chongqing, Tiongkok. Pabrik pembuatan SiC yang baru dijadwalkan untuk mulai berproduksi pada kuartal keempat tahun 2025 dan diharapkan akan selesai sepenuhnya pada tahun 2028, yang akan lebih mendukung permintaan China yang terus meningkat untuk elektrifikasi otomotif, tenaga industri, dan aplikasi energi. Sementara itu, Sanan Optoelektronik akan memanfaatkan proses substrat SiC miliknya sendiri untuk membangun dan mengoperasikan pabrik pembuatan substrat SiC 8 inci yang baru secara terpisah untuk memenuhi kebutuhan substrat dari usaha patungan tersebut.

Usaha patungan ini akan menggunakan teknologi proses manufaktur SiC yang telah dipatenkan ST untuk memproduksi perangkat SiC khusus untuk ST, sebagai pengecoran wafer khusus ST untuk memenuhi kebutuhan pelanggan China-nya.

Total nilai pembangunan pabrik patungan diperkirakan sekitar 3,2 miliar dolar AS, di mana belanja modal dalam lima tahun ke depan sekitar 2,4 miliar dolar AS. Sumber modal termasuk investasi modal dari STMicroelectronics dan San'an Optoelectronics, dukungan dari pemerintah Chongqing dan pinjaman eksternal dari usaha patungan.

Lin Kechuang, CEO Sanan Optoelektronik, menyatakan: "Pendirian usaha patungan ini akan mendorong adopsi perangkat SiC secara luas di pasar China. Sebagai perusahaan layanan model SiC Foundry berkualitas tinggi yang terkenal secara internasional, San'an juga akan membangun pabrik substrat SiC baru untuk menyediakan substrat SiC untuk pabrik usaha patungan yang baru didirikan. Ini merupakan langkah penting bagi San'an Optoelektronik menuju tujuan menjadi pengecoran wafer SiC profesional. Dengan pendirian pabrik usaha patungan baru dan kapasitas perluasan pabrik substrat SiC baru, kami Kami yakin San'an akan terus menempati posisi dominan di pasar model Pengecoran profesional SiC ".

Jean Marc Chery, presiden dan CEO STMicroelectronics, berkata: Sektor otomotif dan industri di China bergerak menuju elektrifikasi dengan kecepatan penuh, dan ST telah berhasil memenangkan banyak proyek pelanggan di pasar ini. Bagi ST, mendirikan pabrik wafer khusus dengan mitra lokal penting di China akan membantu kami memenuhi kebutuhan pelanggan China yang terus meningkat dengan cara yang paling efisien. Pabrik pembuatan substrat 8-inci masa depan dari Sanan Optoelektronik, pabrik pembuatan patungan front-end yang baru didirikan dari kedua belah pihak, dan Dikombinasikan dengan pabrik pembuatan back-end ST yang ada di Shenzhen, Cina, ST akan dapat menyediakan bahasa Cina kami pelanggan dengan rantai nilai SiC integrasi Vertikal sepenuhnya. Langkah ini akan menjadi langkah penting dalam memperluas bisnis manufaktur SiC global ST, selain investasi signifikan yang berkelanjutan di Italia dan Singapura. Pabrik patungan baru akan membantu ST dalam mencapai tujuannya untuk mencapai pendapatan SiC lebih dari $5 miliar pada tahun 2030. Langkah ini juga sejalan dengan target pendapatan ST lebih dari $20 miliar antara tahun 2025 dan 2027, serta model keuangan yang relevan yang kami dikomunikasikan sebelumnya ke pasar modal